英诺赛科推出高性能All-GaN解决方案，助力USB PD 3.1快充发展
11月26日，由充电头网主办的2021（秋季）USB PD＆Type-C亚洲展在深圳南山科兴科学园如期举行。作为2021年年度备受瞩目的消费类快充电源行业展会，现场汇聚近百家USB PD＆Type-C产业链企业，并有多达上千款的新品展出。同时，本次展会也吸引了众多专业观众莅临现场，成为快充产业相关人士面对面洽谈、技术交流、学习成长的平台。
在展会期间同步举办的研讨会上，20位行业大咖发表了演讲，分享了最新的行业趋势，并介绍了公司最新的产品布局。
英诺赛科市场应用高级经理 邹艳波先生发表了《高性能All-GaN方案为USB PD 3.1应用加速》主题演讲。
邹艳波先生，在氮化镓高频高密电源开发应用领域具有丰富经验，原任职于ICT领域知名企业，从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备供电方案的前沿技术研究和开发。
现任英诺赛科高级产品应用经理一职, 负责氮化镓器件应用技术的研发与规划，构建InnoGaN产品与解决方案在快充、大数据中心、人工智能、新能源汽车等战略新兴领域的竞争力。
下面由充电头网为大家带来英诺赛科本次演讲的PPT解读。
USB PD 3.1快充标准的推出，将原本的快充应用扩展到了电动工具、摩托、无人机、医疗设备等跟人息息相关的电子领域。USB PD 3.1快充新增28V、36V、48V三个电压档位，最大功率提升至240W，对整个电源设计也带来了新的挑战，协议、电容等整个生态都要做出相应的调整。功率提升了，若要保持快充电源的便携性，就要进一步提高产品功率密度。
为解决上述问题，英诺赛科推出了150V同步整流氮化镓器件——INN150LA070A，相较传统Si MOS，具有无反向恢复损耗、Ron*Qg为Si MOS的1/6以及单位面积Ron更小三大优点，除天然性能优势之外，成本也会更低。
INN150LA070A具有支持MHZ 开关频率；高边同步整流自供电，不需辅助绕组，设计简单；效率更高，EMC更好处理；die size小、驱动损耗小、IC温度低等优点。
英诺赛科还重点展示了搭配 INN150LA070A 的三款 All-GaN 方案，分别为：65W、140W和240W 解决方案。
英诺赛科65W All-GaN方案：采用INN650DA260A+6INN150LA070A氮化镓器件，具有高边同步整流-EMI噪声更小、单屏蔽层-变压器耦合更好，效率更高、高效率：93.4%@ 90Vac，94.7%@230V、高功率密度：31W/in³等优点。
英诺赛科140W All-GaN方案：采用INN650D150A、INN650D260A和INN150LA070A各两颗，基于无桥PFC+ACF架构设计，支持5V3A-28V5A输出。DEMO尺寸60*60*22mm，功率密度30W/in³，真正做到体积和传统65W快充相当而功率翻倍。
英诺赛科240W All-GaN方案：采用INN650D150A*4+INN650DA260A*2+INN150LA070A*2共8颗氮化镓器件，Totem pole 无桥PFC+LLC架构设计，DEMO尺寸85*55*20.5mm，只有银行卡大小，功率密度41W/in³，最大输出功率240W，效率高达96.5%。
英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件，可为客户提供端到端全电压解决方案，实现全链路高效、高频、高功率密度。英诺赛科650V功率器件主要有DFN5*6和DFN8*8两种封装方式，功率可涵盖30W-1600W，充分满足客户需求。
英诺赛科的产品从设计、制造过程中工艺的管控、测试各方面都有严格把关，可为客户提供高可靠性的产品。英诺赛科也是全球首家做进手机内部的电源厂家，跟国际一流客户进行深入合作，通过客户的反馈进一步完善英诺赛科的品控体系，因此产品质量值得信赖。
英诺赛科在氮化镓行业的出货量已经超过了4千万颗，合作量产客户超过100家，如此大的规模也体现了英诺赛科产品的可靠性。
英诺赛科也在积极扩展产品在绿色能源、数据中心能源、智能电动以及直流楼宇等领域的应用。数据中心英诺赛科可提供端到端的产品解决方案，而在新能源汽车的应用产品预计将于明年推出，敬请期待。
想了解All-GaN解决方案详情，可联系英诺赛科原厂。
充电头网总结
英诺赛科新推出了的INN150LA070A 150V同步整流氮化镓器件，并基于此开发了All-GaN解决方案，包括65W、140W、240W三种功率的快充参考设计，具有高效高功率密度等特点，解决USB PD 3.1更高功率带来了的更大体积、更高发热痛点。
英诺赛科拥有LV (30-150V) & HV(650V) GaN 功率器件，而且十分可靠，可为客户提供端到端全电压解决方案，实现全链路高效、高频、高功率密度。
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